刘汉豪双眼放光：“充实！还是以前的模式吧？要是没有充足的尖端行业技术做基础，我可没法一会做这种芯片一会做那种芯片。”

“放心嘛！就相当于还有另一个团队在跟你一起合作，你负责芯片设计，他们负责提供具体的行业理论。”

林耀东坐在那里听顾松和大佬们聊天，简直不能更过瘾。

进来之后，他就有感受顾松的这个研究院实力强，那些实验设备……真的是可以买到的最好的了。已经出的成果也很强，这几天他是在如饥似渴地学习。

现在，亲口听着他们又是存储芯片又是soc的，燧石研究院，好刺激啊！

第278章 dota地图上线

回到了学校，顾松开始搜集起现有的论文起来。

他估摸着林耀东肯定是去海量搜集了，因为林耀东没有他目标明确。

顾松是直接开始搜索起来硅穿孔技术（tsv）的相关资料。

tsv技术其实早在1964年就由ib提出了，并且在3年后获得了专利。

但这个技术想要运用在芯片封装上，还得解决很多问题。

在本身就已经微米级甚至纳米级的制程上搞工艺创新，涉及到晶圆薄化、刻蚀、过孔、晶圆颗粒接合、切割方方面面的难题。

当然，这些工艺并非无迹可寻。在现在，其实已经有了很多的研究，顾松得把他们找出来。

隔壁的三星，在06年完善了晶圆级tsv封装的技术，把2d nand堆了8层。

先把tsv的工艺解决方案拿出来，然后再把内存颗粒的浮动栅结构改为电荷撷取闪存并且把它3d化，这就真成了3d nand。到时候多层3d nand再加多层tsv封装，闪存芯片就彻底进入新时代了。

至于下一代存储技术，等这一波工艺水平提上去再说。